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参数目录44137
> BZX79-B3V0,133 DIODE VREG 3.0V 500MW DO-35
型号:
BZX79-B3V0,133
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
NXP Semiconductors
描述:
DIODE VREG 3.0V 500MW DO-35
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳
BZX79-B3V0,133 PDF
标准包装
10,000
系列
-
电压 - 齐纳(标称)(Vz)
3V
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)
900mV @ 10mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电
10µA @ 1V
容差
±2%
功率 - 最大
400mW
阻抗(最大)(Zzt)
95 欧姆
安装类型
通孔
封装/外壳
DO-204AH,DO-35,轴向
供应商设备封装
ALF2
包装
带盒(TB)
工作温度
-65°C ~ 200°C
其它名称
568-7933-3
933549940133
BZX79-B3V0,133-ND
查看BZX79-B3V0,133代理商
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